전력용트랜지스터(Power Transistor)

ⓐ 차단영역(cutoff region)

base를 역 bias하여 I_B=0, Ic=I_CBO(차단전류)로 된 상태(트랜지스터의 off 상태)

ⓑ 포화상태(saturation region)

IB를 충분히 크게 할 때 C-B 간이 순 bias로 되어 V_CE 전압이 극히 낮은 상태(트랜지스터의 온상태)

C-B간이 충분히 역 bias 된 상태에서 I_E에 비례하여 Collector 전류 Ic가 변하는 영역

,

일반적으로 던 오프시에는 E-B사이를 역바이어스 하여 턴오프 시간을 감소시킨다.

스위칭 시간이 짧다(수백㎱~수㎲)

트랜지스터는 턴오프할 때 이미터와 베이스간의 접합을 역바이어스 하면 베이스 영역에 횡방향으로 전계가 생겨서 이미터의 중앙에 전류의 집중현상이 생기고 그로 인하여 베이스 영역의 일부에 hot spot(열폭주)로 인하여 트랜지스터의 국부적 파괴를 가져온다.

ASO란 소자를 파괴시키지 않고 안전하게 사용할 수 있는 소정의 전압 V_CE 및 전류 Ic의 범위를 말한다.

순 bias ASO
베이스를 순 bias했을 때의 ASO로서 이는 컬랙터 전류 Ic, sustaining 전압 V_(sus), 온도상승 및 2차항복 등의 영향을 받는다.
역 bias ASO
boas를 역 bias로 하여 턴오프 할 때의 ASO로서 역 바이어스를 크게 할수록 베이스 주변의 에미터 회복이 빨라지므로 에미터의 도통부분이 좁하져서 동작전류 Ic의 영역이 감소한다.
단락 ASO
단락사고시에 흘릴 수 있는 전류 및 전압에 의한 파괴한도를 말한다. 단락 ASO가 크면 이 소자를 사용한 인버터의 신뢰성 향상에 큰 도움이 된다.