전계효과 트랜지스터 중에서 절연막을 산화막(보통 Sio2)으로
형성시킨 절연게이트 형 FET.
전력용 MOS 전계효과 트랜지스터인 Power-MOS는 스위칭
전원 용도를 중심으로 폭넓게 사용되는 소자로서 그 특징 및 용도는 아래와 같이
요약할 수 있다.
구조에 따라 n channel 형과 p channel형이 있고, 또한 planar형과 mesa형이 있으며, mesa형에는 V형과 U형이 있다.
|
|
G에 (+) , S에 (-)의 제어전압을 인가하면 p층에 n channel이
형성되며 이 때 D에(+), S에(-)가 되도록 주전압을 인가하면 출력전류가 channel을
통하여 흐르는데 이때 게이트 전압을 충분히 크게 하여 주면 소자는 포화상태로
되어 on하게 된다.
이 상태에서 제어전아을 제거하면 n channel이 없어져
소자는 off 상태로 된다. 한편 D와 S사이에 역전압이 걸리게 되면 소자는 순
바이어스 된 pn 접합 다이오드로 되어 환류작용을 돕게 된다.
1. 출력특성
|
|
게이트 전압 VGS가 낮으면 드레인 전류가 거의 흐르지 않으나 역치전압(임계전압) 이상으로 되면 드레인 전류가 급격히 증가한다. 이 때 VGS를 충분히 크게 하면 드레인 전압 VDS에 비례하여 드레인 전류 ID가 증감한다. 출력특성은 저저항 영역(선형영역)과 정전류 영역으로 구분된다. |
2차 항복이 거의 없으므로 트랜지스터에 비하여 안전동작영역이 넓다.
|
|
|
1. 특징
